casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SJPB-H9VL
Número de pieza del fabricante | SJPB-H9VL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SJPB-H9VL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPB-H9VL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 90V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 850mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 90V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SMD, J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SJP |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-H9VL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SJPB-H9VL-FT |
121NQ035R-1
SMC Diode Solutions
121NQ040-1
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123NQ100R-1
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124NQ035-1
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XC4010E-2BG225I
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A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
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5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
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LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel