Número de pieza del fabricante | SJPB-D6 |
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Número de parte futuro | FT-SJPB-D6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SJPB-D6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 680mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-SMD, J-Lead |
Paquete del dispositivo del proveedor | SJP |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SJPB-D6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SJPB-D6-FT |
R9G01622XX
Powerex Inc.
R9G01812XX
Powerex Inc.
R9G01818XX
Powerex Inc.
R9G01822XX
Powerex Inc.
R9G02012XX
Powerex Inc.
R9G02018XX
Powerex Inc.
R9G02022XX
Powerex Inc.
R9G02212XX
Powerex Inc.
R9G02412XX
Powerex Inc.
RAS00412XX
Powerex Inc.
AX250-FG256I
Microsemi Corporation
MPF300TLS-FCVG484I
Microsemi Corporation
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
10M04SFE144I7G
Intel
5SGSED8N1F45C2L
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXEA5K2F35C3N
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation