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Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3

Name: SIZ998DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998DT-T1-GE3
Price: 0.54824 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (421 reviews)

Número de pieza de MFG: SIZ998DT-T1-GE3

Cantidad disponible: 39300 Piezas

Precio de referencia: USD 0.54824

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIZ998DT-T1-GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SIZ998DT-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIZ998DT-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIZ998DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual), Schottky
Característica FET	Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
Potencia - max	20.2W, 32.9W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PowerPair®
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ998DT-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIZ998DT-T1-GE3-FT

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