casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIZ980DT-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIZ980DT-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIZ980DT-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIZ980DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20A (Tc), 60A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 1.6 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
Potencia - max | 20W, 66W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-PowerPair® |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIZ980DT-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIZ980DT-T1-GE3-FT |
SI5915DC-T1-E3
Vishay Siliconix
SI5915DC-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI5920DC-T1-E3
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LFEC1E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K70T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05AL-1AQC
Microchip Technology
5SGSMD5H3F35I4
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A3P1000-1FGG144
Microsemi Corporation
5CGTFD7C5U19C7N
Intel
EP2AGX260EF29C5
Intel