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Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SIZ926DT-T1-GE3
Cantidad disponible
84160 Piezas
Precio de referencia
USD 0.460768
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® Gen IV MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SIZ926DT-T1-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET® Gen IV
SIZ926DT-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 40A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Potencia - max 20.2W, 40W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PowerPair® (6x5)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIZ926DT-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIZ926DT-T1-GE3-FT

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