casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIUD401ED-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIUD401ED-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIUD401ED-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen III |
SIUD401ED-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.573 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 33pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 0806 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 0806 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIUD401ED-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIUD401ED-T1-GE3-FT |
DMN2004WKQ-7
Diodes Incorporated
DMT69M8LFV-7
Diodes Incorporated
DMPH4013SK3Q-13
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DMG1013TQ-7
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DMP2040UVT-7
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DMP3007SCG-13
Diodes Incorporated
DMN5L06WKQ-7
Diodes Incorporated
DMN3009LFV-13
Diodes Incorporated
DMN2990UFO-7B
Diodes Incorporated
NVATS5A114PLZT4G
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel