casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SISS27DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SISS27DN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SISS27DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SISS27DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5250pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SISS27DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SISS27DN-T1-GE3-FT |
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
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