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Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3

Name: SISS23DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS23DN-T1-GE3
Price: 0.29656 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (519 reviews)

Número de pieza de MFG: SISS23DN-T1-GE3

Cantidad disponible: 82970 Piezas

Precio de referencia: USD 0.29656

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SISS23DN-T1-GE3.pdf

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SISS23DN-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SISS23DN-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SISS23DN-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SISS23DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	50A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	8840pF @ 15V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Paquete / Caja	8-PowerVDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SISS23DN-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SISS23DN-T1-GE3-FT

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