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Vishay Siliconix SIRC10DP-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SIRC10DP-T1-GE3
Cantidad disponible
80780 Piezas
Precio de referencia
USD 0.31108
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET® Gen IV
SIRC10DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Vgs (Max) +20V, -16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1873pF @ 15V
Característica FET Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max) 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja PowerPAK® SO-8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIRC10DP-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIRC10DP-T1-GE3-FT

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