casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIRA84DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIRA84DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIRA84DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIRA84DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1535pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 34.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA84DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIRA84DP-T1-GE3-FT |
IRFB17N60K
Vishay Siliconix
IRFB17N60KPBF
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IRFB9N30A
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IRFBC30A
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IRFBC40
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
Intel
10M50SCE144C8G
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
Intel
EPF8282ALC84-4
Intel
EPF10K130EQC240-3N
Intel