casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIRA14BDP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIRA14BDP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIRA14BDP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIRA14BDP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 21A (Ta), 64A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.38 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -16V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 917pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.7W (Ta), 36W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIRA14BDP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIRA14BDP-T1-GE3-FT |
SI7434DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7478DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7489DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7884BDP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7884BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR158DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR404DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR468DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR668ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix
SIRA16DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel