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Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3

Name: SIR802DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR802DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5.0 (211 reviews)

Número de pieza de MFG: SIR802DP-T1-GE3

Cantidad disponible: 75540 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIR802DP-T1-GE3.pdf

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SIR802DP-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SIR802DP-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIR802DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIR802DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	32nC @ 10V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1785pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	4.6W (Ta), 27.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR802DP-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIR802DP-T1-GE3-FT

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