casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR692DP-T1-RE3
Número de pieza del fabricante | SIR692DP-T1-RE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIR692DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | ThunderFET® |
SIR692DP-T1-RE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 7.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1405pF @ 125V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 104W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR692DP-T1-RE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIR692DP-T1-RE3-FT |
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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