casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR664DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIR664DP-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIR664DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR664DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1750pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR664DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIR664DP-T1-GE3-FT |
SI7448DP-T1-GE3
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SI7452DP-T1-E3
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SI7452DP-T1-GE3
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