casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR606DP-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIR606DP-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIR606DP-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIR606DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 37A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 6V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1360pF @ 50V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 44.5W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR606DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIR606DP-T1-GE3-FT |
IRFB9N60A
Vishay Siliconix
IRFB9N65A
Vishay Siliconix
IRFBC20
Vishay Siliconix
IRFBC30
Vishay Siliconix
IRFBC30A
Vishay Siliconix
IRFBC40
Vishay Siliconix
IRFBC40A
Vishay Siliconix
IRFBC40LC
Vishay Siliconix
IRFBE20
Vishay Siliconix
IRFBE30
Vishay Siliconix