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Vishay Siliconix SIR412DP-T1-GE3

Name: SIR412DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR412DP-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 4.6 (801 reviews)

Número de pieza de MFG: SIR412DP-T1-GE3

Cantidad disponible: 84300 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIR412DP-T1-GE3.pdf

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SIR412DP-T1-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SIR412DP-T1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIR412DP-T1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SIR412DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	600pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja	PowerPAK® SO-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR412DP-T1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIR412DP-T1-GE3-FT

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