casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIR188DP-T1-RE3
Número de pieza del fabricante | SIR188DP-T1-RE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIR188DP-T1-RE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® Gen IV |
SIR188DP-T1-RE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25.5A (Ta), 60A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 7.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.85 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1920pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIR188DP-T1-RE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIR188DP-T1-RE3-FT |
SI7478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7846DP-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7850DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR410DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7450DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7469DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR426DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIRA00DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7456DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel