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Vishay Siliconix SIR182DP-T1-RE3

Número de pieza de MFG
SIR182DP-T1-RE3
Cantidad disponible
19190 Piezas
Precio de referencia
USD 0.679648
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CH 60V 60A POWERPAKSO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante SIR182DP-T1-RE3
Número de parte futuro FT-SIR182DP-T1-RE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET® Gen IV
SIR182DP-T1-RE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 3250pF @ 30V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 69.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja PowerPAK® SO-8
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIR182DP-T1-RE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIR182DP-T1-RE3-FT

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