casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHW30N60E-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHW30N60E-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIHW30N60E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHW30N60E-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2600pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247AD |
Paquete / Caja | TO-3P-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHW30N60E-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHW30N60E-GE3-FT |
SUD50N02-09P-E3
Vishay Siliconix
SUD50N025-06P-E3
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A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel