casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHH28N60E-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHH28N60E-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIHH28N60E-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | E |
SIHH28N60E-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 29A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 129nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2614pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 202W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 8 x 8 |
Paquete / Caja | 8-PowerTDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHH28N60E-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHH28N60E-T1-GE3-FT |
SI3445DV-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3446ADV-T1-GE3
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SI3447BDV-T1-E3
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SI3447BDV-T1-GE3
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SI3447CDV-T1-GE3
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SI3451DV-T1-E3
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SI3451DV-T1-GE3
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SI3454ADV-T1-E3
Vishay Siliconix
SI3454ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel