casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIHF22N65E-GE3
Número de pieza del fabricante | SIHF22N65E-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIHF22N65E-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SIHF22N65E-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2415pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 35W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 Full Pack |
Paquete / Caja | TO-220-3 Full Pack |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIHF22N65E-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIHF22N65E-GE3-FT |
IRFR1N60ATRRPBF
Vishay Siliconix
IRFR210
Vishay Siliconix
IRFR210TR
Vishay Siliconix
IRFR210TRL
Vishay Siliconix
IRFR210TRR
Vishay Siliconix
IRFR214
Vishay Siliconix
IRFR214TR
Vishay Siliconix
IRFR214TRL
Vishay Siliconix
IRFR214TRR
Vishay Siliconix
IRFR224
Vishay Siliconix
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation