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Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3

Name: SIHD1K4N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD1K4N60E-GE3
Price: 1.056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (21 reviews)

Número de pieza de MFG: SIHD1K4N60E-GE3

Cantidad disponible: 12680 Piezas

Precio de referencia: USD 1.056

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: E MOSFET N-CH DPAK TO-252

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIHD1K4N60E-GE3.pdf

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SIHD1K4N60E-GE3 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	SIHD1K4N60E-GE3
Número de parte futuro	FT-SIHD1K4N60E-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	E
SIHD1K4N60E-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.45 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	172pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252AA
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHD1K4N60E-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIHD1K4N60E-GE3-FT

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