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Vishay Siliconix SIHB33N60ET1-GE3

Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3
Price: 3.108 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (735 reviews)

Número de pieza de MFG: SIHB33N60ET1-GE3

Cantidad disponible: 98000 Piezas

Precio de referencia: USD 3.108

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: E MOSFET N-CH 600V 33A TO263

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SIHB33N60ET1-GE3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SIHB33N60ET1-GE3
Número de parte futuro	FT-SIHB33N60ET1-GE3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	E
SIHB33N60ET1-GE3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	33A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	150nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3508pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	278W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D²Pak)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIHB33N60ET1-GE3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SIHB33N60ET1-GE3-FT

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