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Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SIDR626DP-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 13410 Piezas
- Precio de referencia
- USD 1.090584
- Nuestro precio
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® Gen IV MOSFET N-CHAN 60V
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SIDR626DP-T1-GE3.pdf
SIDR626DP-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SIDR626DP-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SIDR626DP-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® Gen IV |
| SIDR626DP-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 42.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.4V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 102nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5130pF @ 30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8DC |
| Paquete / Caja | PowerPAK® SO-8 |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SIDR626DP-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SIDR626DP-T1-GE3-FT |
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