casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SICRD101200TR
Número de pieza del fabricante | SICRD101200TR |
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Número de parte futuro | FT-SICRD101200TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SICRD101200TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRD101200TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SICRD101200TR-FT |
VS-8EWS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel