casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / SICRD101200TR
Número de pieza del fabricante | SICRD101200TR |
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Número de parte futuro | FT-SICRD101200TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SICRD101200TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 10A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 10A |
Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 0ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | 640pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SICRD101200TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SICRD101200TR-FT |
VS-8EWS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8EWS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel