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Vishay Siliconix SIB911DK-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SIB911DK-T1-GE3
Cantidad disponible
35470 Piezas
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SIB911DK-T1-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SIB911DK-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Característica FET Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 115pF @ 10V
Potencia - max 3.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja PowerPAK® SC-75-6L Dual
Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® SC-75-6L Dual
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SIB911DK-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SIB911DK-T1-GE3-FT

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