casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIA922EDJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA922EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIA922EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA922EDJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 7.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA922EDJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA922EDJ-T1-GE3-FT |
SP8J4TB
Rohm Semiconductor
SP8J5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8J5TB
Rohm Semiconductor
SP8J65TB1
Rohm Semiconductor
SP8J66TB1
Rohm Semiconductor
SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K1TB
Rohm Semiconductor
SP8K22FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor
AT6002A-4AC
Microchip Technology
LFXP6C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S400A-5FG400C
Xilinx Inc.
APA300-FG256
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG236C
Xilinx Inc.
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel