casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIA912DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA912DJ-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIA912DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA912DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5nC @ 8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 400pF @ 6V |
Potencia - max | 6.5W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA912DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA912DJ-T1-GE3-FT |
SP8M10FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M10TB
Rohm Semiconductor
SP8M2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M3TB
Rohm Semiconductor
SP8M4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M51TB1
Rohm Semiconductor
SP8M5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8M5TB
Rohm Semiconductor
SP8M6FU6TB
Rohm Semiconductor
EX256-PTQ100I
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
XC4VFX100-11FFG1517C
Xilinx Inc.
APA150-FG144I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC484-3
Intel
EP4SGX290FH29C4N
Intel
EP2AGX65DF25C6NES
Intel
5SGXEB6R3F43C2N
Intel
LFE3-150EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation