casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SIA777EDJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA777EDJ-T1-GE3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SIA777EDJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA777EDJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V, 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A, 4.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 225 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 5W, 7.8W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA777EDJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA777EDJ-T1-GE3-FT |
SP8K1TB
Rohm Semiconductor
SP8K22FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K24FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K2FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K31TB1
Rohm Semiconductor
SP8K3FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K4TB
Rohm Semiconductor
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor
SP8K5TB
Rohm Semiconductor
XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG484
Microsemi Corporation
EP4CE6E22C6N
Intel
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
XC7VX550T-L2FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG225I
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel