casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SIA414DJ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SIA414DJ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SIA414DJ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SIA414DJ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.2V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1800pF @ 4V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® SC-70-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SIA414DJ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SIA414DJ-T1-GE3-FT |
SI4858DY-T1-E3
Vishay Siliconix
SI4858DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI4860DY-T1-E3
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SI4860DY-T1-GE3
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SI4866BDY-T1-E3
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SI4876DY-T1-E3
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SI4880DY-T1-E3
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SI4880DY-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel