casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI9433BDY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI9433BDY-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI9433BDY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI9433BDY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI9433BDY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI9433BDY-T1-E3-FT |
IRF7524D1GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7524D1PBF
Infineon Technologies
IRF7524D1TR
Infineon Technologies
IRF7524D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7526D1
Infineon Technologies
IRF7526D1PBF
Infineon Technologies
IRF7526D1TR
Infineon Technologies
IRF7526D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7534D1
Infineon Technologies
IRF7534D1PBF
Infineon Technologies
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel