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Número de pieza del fabricante | SI8610BD-B-ISR |
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Número de parte futuro | FT-SI8610BD-B-ISR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
SI8610BD-B-ISR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tecnología | Capacitive Coupling |
Tipo | General Purpose |
Poder aislado | No |
número de canales | 1 |
Entradas - Lado 1 / Lado 2 | 1/0 |
Tipo de canal | Unidirectional |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Inmunidad Transitoria en Modo Común (Min) | 35kV/µs |
Velocidad de datos | 150Mbps |
Demora de propagación tpLH / tpHL (Máx.) | 13ns, 13ns |
Distorsión de ancho de pulso (Máx.) | 4.5ns |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 2.5ns, 2.5ns |
Suministro de voltaje | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 16-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8610BD-B-ISR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI8610BD-B-ISR-FT |
SI8652EC-B-IS1
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XC4006E-1TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL050T-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX08-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C8L
Intel
5SGXEA3K1F35C2N
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35I2N
Intel