casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI8499DB-T2-E1
Número de pieza del fabricante | SI8499DB-T2-E1 |
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Número de parte futuro | FT-SI8499DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8499DB-T2-E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1300pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
Paquete / Caja | 6-UFBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8499DB-T2-E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI8499DB-T2-E1-FT |
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