casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI8472DB-T2-E1
Número de pieza del fabricante | SI8472DB-T2-E1 |
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Número de parte futuro | FT-SI8472DB-T2-E1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI8472DB-T2-E1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 630pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 780mW (Ta), 1.8W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-Micro Foot (1x1) |
Paquete / Caja | 4-UFBGA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI8472DB-T2-E1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI8472DB-T2-E1-FT |
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XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel