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Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1

Número de pieza de MFG
SI8429DB-T1-E1
Cantidad disponible
83700 Piezas
Precio de referencia
USD 0.3696
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-SI8429DB-T1-E1
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI8429DB-T1-E1 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 5V
Vgs (Max) ±5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1640pF @ 4V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 4-Microfoot
Paquete / Caja 4-XFBGA, CSPBGA
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI8429DB-T1-E1 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI8429DB-T1-E1-FT

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