casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7703EDN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7703EDN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7703EDN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7703EDN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 6.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 800µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 1.3W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7703EDN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7703EDN-T1-GE3-FT |
SI7810DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
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10AX066H1F34I1SG
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