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Vishay Siliconix SI7703EDN-T1-E3

Name: SI7703EDN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7703EDN-T1-E3
Price: 0.55104 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (662 reviews)

Número de pieza de MFG: SI7703EDN-T1-E3

Cantidad disponible: 51570 Piezas

Precio de referencia: USD 0.55104

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fabricante: Vishay Siliconix

Breve descripción: TrenchFET® MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: SI7703EDN-T1-E3.pdf

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Número de pieza del fabricante	SI7703EDN-T1-E3
Número de parte futuro	FT-SI7703EDN-T1-E3
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	TrenchFET®
SI7703EDN-T1-E3 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	4.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 800µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja	PowerPAK® 1212-8
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI7703EDN-T1-E3 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	SI7703EDN-T1-E3-FT

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