casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI7425DN-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI7425DN-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI7425DN-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7425DN-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 300µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7425DN-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7425DN-T1-E3-FT |
SISA14DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SISC06DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7106DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7113DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7114ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7230DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7308DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7309DN-T1-E3
Vishay Siliconix
SI7317DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI7617DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation