casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI7216DN-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI7216DN-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI7216DN-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI7216DN-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 670pF @ 20V |
Potencia - max | 20.8W |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | PowerPAK® 1212-8 Dual |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 Dual |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI7216DN-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI7216DN-T1-GE3-FT |
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EX256-TQ100I
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XC4008E-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-25F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1M120F484C6
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EP4S100G5F45I1N
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XA6SLX4-2CSG225Q
Xilinx Inc.
10AX115H2F34I2LG
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