casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI6562DQ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI6562DQ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6562DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6562DQ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N and P-Channel |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6562DQ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6562DQ-T1-GE3-FT |
SI1553CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI1553DL-T1
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ICE5LP2K-SG48ITR
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005A-2AC
Microchip Technology
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
AGLE600V5-FG484
Microsemi Corporation
10CX220YF780E5G
Intel
5CGXFC9A6U19I7
Intel
EP3SL110F1152C3
Intel
XC2VP20-7FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3C55F780C7N
Intel