casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6469DQ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI6469DQ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6469DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6469DQ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 8V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6469DQ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6469DQ-T1-GE3-FT |
SPB10N10
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SPB10N10 G
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LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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