casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6435ADQ-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI6435ADQ-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6435ADQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6435ADQ-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.7A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.05W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6435ADQ-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6435ADQ-T1-E3-FT |
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06 G
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Infineon Technologies
SPB80N04S2-04
Infineon Technologies
SPB80N04S2-H4
Infineon Technologies
SPB80N04S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N06S08ATMA1
Infineon Technologies
SPB80N06S2-05
Infineon Technologies
A1020B-2VQ80I
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel