casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6423DQ-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI6423DQ-T1-E3 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-SI6423DQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6423DQ-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.05W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6423DQ-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6423DQ-T1-E3-FT |
SPB100N08S2-07
Infineon Technologies
SPB100N08S2L-07
Infineon Technologies
SPB10N10
Infineon Technologies
SPB10N10 G
Infineon Technologies
SPB10N10L
Infineon Technologies
SPB10N10L G
Infineon Technologies
SPB11N60C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB11N60S5ATMA1
Infineon Technologies
SPB12N50C3ATMA1
Infineon Technologies
SPB16N50C3ATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel