casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6413DQ-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI6413DQ-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6413DQ-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6413DQ-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.05W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6413DQ-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6413DQ-T1-GE3-FT |
SPB100N08S2L-07
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