casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI6404DQ-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI6404DQ-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI6404DQ-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI6404DQ-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.6A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1.08W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI6404DQ-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI6404DQ-T1-E3-FT |
SPB80N03S2-03
Infineon Technologies
SPB80N03S203GATMA1
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-03
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-03 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-04 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-05 G
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06
Infineon Technologies
SPB80N03S2L-06 G
Infineon Technologies
A3PE600-1PQG208I
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AT6002-4AC
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5SGSED8K3F40I4N
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10AX115U2F45I2SGE2
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