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Vishay Siliconix SI5908DC-T1-GE3

Número de pieza de MFG
SI5908DC-T1-GE3
Cantidad disponible
81730 Piezas
Precio de referencia
USD 0.5248
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fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
TrenchFET® MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante SI5908DC-T1-GE3
Número de parte futuro FT-SI5908DC-T1-GE3
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie TrenchFET®
SI5908DC-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds -
Potencia - max 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor 1206-8 ChipFET™
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SI5908DC-T1-GE3 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto SI5908DC-T1-GE3-FT

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