casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / SI5411EDU-T1-GE3
Número de pieza del fabricante | SI5411EDU-T1-GE3 |
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Número de parte futuro | FT-SI5411EDU-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI5411EDU-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.2 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 105nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4100pF @ 6V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Single |
Paquete / Caja | PowerPAK® ChipFET™ Single |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI5411EDU-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI5411EDU-T1-GE3-FT |
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Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel