casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4913DY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4913DY-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4913DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4913DY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 500µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Potencia - max | 1.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4913DY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4913DY-T1-E3-FT |
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Monolithic Power Systems Inc.
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Vishay Siliconix
AO4801L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
BSO215C
Infineon Technologies
FW231A-TL-E
Texas Instruments
A54SX08A-FTQ144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
EP3C16F256C6
Intel
10AX032H2F35E2LG
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U3F45I2SG
Intel
EPF10K200SBC356-1
Intel
10M02DCV36C7G
Intel