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Vishay Siliconix SI4910DY-T1-GE3
- Número de pieza de MFG
- SI4910DY-T1-GE3
- Cantidad disponible
- 49910 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Vishay Siliconix
- Breve descripción
- TrenchFET® MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- SI4910DY-T1-GE3.pdf
SI4910DY-T1-GE3 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | SI4910DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-SI4910DY-T1-GE3 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | TrenchFET® |
| SI4910DY-T1-GE3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Potencia - max | 3.1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| SI4910DY-T1-GE3 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | SI4910DY-T1-GE3-FT |
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