casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / SI4910DY-T1-E3
Número de pieza del fabricante | SI4910DY-T1-E3 |
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Número de parte futuro | FT-SI4910DY-T1-E3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TrenchFET® |
SI4910DY-T1-E3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 855pF @ 20V |
Potencia - max | 3.1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SI4910DY-T1-E3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | SI4910DY-T1-E3-FT |
TC6320TG-G
Microchip Technology
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10CL016YU256I7G
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5SGXEA3K2F40C3
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5SGXMA3K2F35C2LN
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XC7VX330T-2FFG1157I
Xilinx Inc.